据称，这种技术同样以硅为基底，与工业标准互补型金属氧物半导体晶体管（CMOS）生产技术相兼容，为未来CMOS/分子混合器件电路的制造铺平了道路，而该混合器件电路将是COMS之后即将出现的全分子技术的基础或前身。

　　NIST研究小组首先发现，他们采用新创技术能够将高质量的有机分子单层组装到工业CMOS制造中常见的硅切面上。通过外延光谱分析，研究人员证实了自己的研究成果。

　　随后，研究人员利用相同的技术研制出了简单但具有工作能力的分子电子器件———电阻。他们用碳原子链组成单层结构，每条碳原子链的端点与硫原子相系，并将原子链放入硅基底上的深度为100纳米的小井中，然后用一层金属银封住井口，同时井上端形成顶部电接触点。他们表示，金属银不会取代碳原子链组成的单层结构，也不会阻碍单层结构发挥正常功能。

　　据悉，研究人员共研制出了两个分子电子器件，每个器件具有不同长度的碳原子链。正如所预期的那样，两个器件在测试中均成功地表现出了电阻的作用，同时碳原子链更长的器件其电阻更大。研究人员还证明它们显示了非线性电阻的性能。